高调制速度发光二极管及其调制方法和制造方法

       本发明提供了一种高调制速度发光二极管及其调制方法和制造方法，所述发光二极管的PN结结区包含一个双量子阱结构，所述双量子阱结构包括一第一量子阱和一第二量子阱，所述第一量子阱的带隙大于所述第二量子阱的带隙，所述第一量子阱辐射信号光，所述第二量子阱辐射辅助光，通过量子隧穿效应，所述第一量子阱和所述第二量子阱相互耦合。本发明高调制速度的发光二极管通过载流子在能量空间的动态过程，实现了载流子的超快注入与超快抽离参与信号光辐射的能量区域，降低了发光二极管光信号的上升沿与下降沿所需的时间，进而提高了发光二极管的调制速度。