半导体照明外延结构形成方法

       本发明提供了一种半导体照明外延结构形成方法，包括提供一基板，依次在所述基板上形成半结晶性层、3D未掺杂层，形成3D未掺杂层后排出腔体内氮源，接着通入镓源且不通入氮源，通入镓源后通入氮源，通入氮源后形成N型掺杂层、有源层、P型掺杂层。本发明在形成3D未掺杂层后将腔体内氮源排出，此时岛状结构表面没有气体保护，腔体内的高温对岛状结构顶部氮化镓进行烘烤并产生一相对粗糙表面，通入镓源后分解产生液态金属镓覆盖在粗糙表面上对缺陷位错进行填充并得到一相对平整表面，再通入氮源，氮源与液态金属镓表面接触形成氮化镓，晶格重新排序并阻断前面形成的位错缺陷，提高了晶体质量。