一种P型氮化镓材料空穴激活的方法（于光电子技术，半导体发光二极管）

       本发明涉及一种P型氮化镓材料空穴激活的方法。该方法包括按现有技术在衬底材料上制备GaN基器件结构，生长P型GaN层时，反应室气氛中使用N2和H2的混合气，压力提高至310~400toor；生长温度为800~1050摄氏度；生长P型GaN材料的同时完成对空穴的激活。本发明避免了GaN基器件结构外延生长之后还需要进行二次处理以激活空穴的问题，简化了工艺步骤，节约了生产成本。通过该方法激活的P型GaN空穴浓度可达1E18以上，完全满足商品化生产的要求。