一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法

        本发明公开了一种采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法，包括从左到右并排设置的第一底架和第二底架，第二底架顶部的右侧设置有一次粉碎机构，第一底架内壁的底部设置有低温介入机构，第一底架内壁上方的两侧均转动连接有转轴，本发明涉及半导体材料加工技术领域。该采用低温介入的半导体材料粉碎装置及方法，通过在第二底架顶部的右侧设置一次粉碎机构，第一底架内壁的底部设置低温介入机构，利用低温介入机构中的低温箱、冷凝器、控制箱和导线，可以先行对半导体材料进行脆化处理，后续粉碎过程更加容易进行，配合一次粉碎机构进行粉碎箱内的往复碾压过程，对半导体材料的初步粉碎过程，减少粉碎时间，提升粉碎效率。